论坛期间，高质各位专家学者站在理论、高质实践和发展的前沿，先后围绕中国经济及家居市场分析和展望、木材在室内装饰的应用、定制家具与成品家具的发展趋势、板式定制家居的未来发展趋势、全屋定制发展趋势和人造板饰面材料的创新与发展等行业热点议题发表了主旨演讲，并就企业转型升级、产品研发设计、市场深耕拓展等方面开展成功企业人士高峰对话。
图三、量推龙链建ASE性能（a）在λex=330nm时，将PLQY值（右纵坐标）和ASE阈值能量（左纵坐标）绘制为(Dfpypy)2Ir(pic)混合膜的F8BT分数函数。下图：进华激光阈值作为泵浦波长的函数，与90%F8BT组分的(Dfpypy)2Ir(pic)混合膜的稳态PL光谱进行比较。
由于有机发光体中的载流子复合以1：号现3的比例产生单线态和三线态激子，号现而荧光发光只允许单线态激子辐射衰变，因此在荧光OLED中其内量子效率（IQE）被限制在25%以内，而形成的75%三线态激子以热等形式耗散。代化图中还显示了(Dfpypy)2Ir(pic)混合膜的数据作为比较。这项工作提出了一种新的有效调控和利用三线态激子的方法，产业从而可以同时利用单线态激子和三线态激子实现更理想的光放大过程，产业为解决电泵浦有机半导体激光器最大阻碍提供了新的思路。
通过对共混样品的光致发光激发光谱、设企光诱导吸收光谱和荧光瞬态分析，直接证实了三线态-单线态能量转移过程。构建了一种以铱配合物为三线态敏化剂，业代以黄绿光荧光聚合物F8BT为增益介质的新型三线态-单线态的客-主体增益系统。
由于长寿命三线态（T1）激子通过累积并激发会引起较大的光学损失，高质尤其是三线态-三线态吸收带与单线态荧光发射带重叠，高质则通过三线态-三线态吸收和单线态-三线态湮灭进一步减少单线态激子数量。
具有较大自旋轨道相互作用的重金属配合物、量推龙链建三线态-单线态分子能隙小的热致延迟荧光材料以及分子间电荷转移复合物（激基复合物）都能提高分子自旋耦合效率，量推龙链建均已被广泛应用于高性能磷光和荧光OLED器件。然而，进华层间的电荷转移量可能非常大，从而产生大的电场并提供调节能带结构的可能性。
所以不管是生长半导体异质结还是氧化物异质结，号现人们都要刻意挑选合适的材料进行组合，这也是限制异质结研究的重要原因。参考文献：代化1.OhtomoAHwangHY(2004)Ahigh-mobilityelectrongasattheLaAlO3/SrTiO3heterointerface.Nature427(6973):423-426.2.DeanCR,etal.(2010)Boronnitridesubstratesforhigh-qualitygrapheneelectronics.5(10):722.3.WangL,etal.(2013)One-dimensionalelectricalcontacttoatwo-dimensionalmaterial.342(6158):614-617.4.GeimAKGrigorievaIV(2013)VanderWaalsheterostructures.Nature499:419.5.於逸骏，代化张远波(2017)从二维材料到范德瓦尔斯异质结.46(4):205-213.6.NovoselovKS,etal.(2004)Electricfieldeffectinatomicallythincarbonfilms.306(5696):666-669.7.YankowitzM,etal.(2012)EmergenceofsuperlatticeDiracpointsingrapheneonhexagonalboronnitride.NaturePhysics8:382.8.PonomarenkoLA,etal.(2013)CloningofDiracfermionsingraphenesuperlattices.Nature497:594.9.DeanCR,etal.(2013)HofstadtersbutterflyandthefractalquantumHalleffectinmoirésuperlattices.Nature497:598.10.HuntB,etal.(2013)MassiveDiracFermionsandHofstadterButterflyinavanderWaalsHeterostructure.340(6139):1427-1430.11.YuGL,etal.(2014)HierarchyofHofstadterstatesandreplicaquantumHallferromagnetismingraphenesuperlattices.NaturePhysics10:525.12.WoodsCR,etal.(2014)Commensurate–incommensuratetransitioningrapheneonhexagonalboronnitride.NaturePhysics10:451.13.AvsarA,etal.(2014)Spin–orbitproximityeffectingraphene.NatureCommunications5:4875.14.WangZ,etal.(2015)Stronginterface-inducedspin–orbitinteractioningrapheneonWS2.NatureCommunications6:8339. 往期回顾：梳理：二维材料的发展离不开这些热点材料的突破性进展盘点近几年在二维材料中发现的铁磁性被引杀手—-二维材料发展的里程碑文章金属二维材料的所有合成策略你都了解么？本文由材料人科技顾问WSY 供稿，材料人编辑部Alisa编辑。
1、产业从闪存的发明讲起1967年，产业贝尔实验室的年轻科学家施敏与同事姜大元休息吃甜点时（施敏口述当时是因为姜同学午饭没吃饱所以跑去吃点心），一层又一层的涂酱触动他二人的灵感，想到在金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）中间加一层金属层，结果发明了非挥发性记忆体（Flash），随后两人发表了第一篇关于非挥发性内存的论文浮栅非挥发性半导体内存单元，第一次阐述了闪存存储数据的原理技术，开启了存储技术的新时代。现在，设企人们已经在二维材料构建的异质结中观测到许多令人兴奋的物理现象。